Опубликовано: 20.11.2020

Кондаков Михаил Николаевич
kondakovmix@mail.ru

Должность: Научный сотрудник.

Образование: Научно-исследовательский технологический институт «Московский институт стали и сплавов» (НИУТ «МИСиС»), специальность: Микроэлектроника и твердотельная электроника (2007-2012 гг.).

Ученая степень: Кандидат технических наук.

Научные интересы: Полупроводниковая электроника, технология создания полупроводниковых приборов.

Основные публикации за последние 5 лет:
1. HIGH-PRESSURE HIGH-TEMPERATURE SINGLE-CRYSTAL DIAMOND TYPE IIA CHARACTERIZATION FOR PARTICLE DETECTORS
Chernykh S.V., Chernykh A.V., Tarelkin S.A., Kondakov M.N., Shcherbachev K.D., Trifonova E.V., Chubenko A.P., Britvich G.I., Kiselev D.A., Polushin N.I., Rabinovich O.I., Didenko S.I., Drozdova T.E., Troschiev S.Y., Prikhodko D.D., Glybin Y.N.
Physica Status Solidi. A: Applications and Materials Science. 2020. Т. 217. № 8. С. 1900888.
2. ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ОТЖИГА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ, МОРФОЛОГИЮ И МИКРОСТРУКТУРУ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ НА ОСНОВЕ MO/AL/MO/AU К ГЕТЕРОСТРУКТУРАМ ALGAN/GAN
Кондаков М.Н., Черных С.В., Черных А.В., Подгорный Д.А., Гладышева Н.Б., Дорофеев А.А., Диденко С.И., Капров Д.Б., Жукова Т.А.
Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2018. № 2 (249). С. 40-47.
3. ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ОТЖИГА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ, МОРФОЛОГИЮ И МИКРОСТРУКТУРУ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ НА ОСНОВЕ MO/AL/MO/AU К ГЕТЕРОСТРУКТУРАМ ALGAN/GAN
Кондаков М.Н., Черных С.В., Черных А.В., Подгорный Д.А., Гладышева Н.Б., Дорофеев А.А., Диденко С.И., Капров Д.Б., Жукова Т.А.
Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2018. № 2 (249). С. 40-47.
4. АЛГОРИТМ РАСЧЕТА ТОЛЩИНЫ ТОНКИХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК
Концевой Ю.А., Кондаков М.Н., Петрова И.Г.
Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2016. Т. 82. № 12. С. 41-42.
5. ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ НА ОСНОВЕ СИСТЕМЫ МЕТАЛЛИЗАЦИИ MO/AL/MO/AU К ГЕТЕРОСТРУКТУРАМ ALGAN/GAN
Кондаков М.Н., Черных С.В., Черных А.В., Гладышева Н.Б., Дорофеев А.А., Диденко С.И., Щербачев К.Д., Табачкова Н.Ю., Капров Д.Б.
Микроэлектроника. 2016. Т. 45. № 6. С. 440-447.